Síntesis y caracterización de películas delgadas de SnS -SnSe de estructura cristalina cubica crecidas por baño químico

Autores/as

  • E. Barrios Salgado Universidad Autonoma de Nayarit
  • J. P. ¨Pérez Orozco Instituto Tecnológico de Zacatepec
  • Y. Rodríguez Lazcano Universidad Autonoma de Nayarit

DOI:

https://doi.org/10.29105/qh6.2-225

Palabras clave:

SnSe, SnS, peliculas delgadas, absorbedor

Resumen

Recientemente han reportado que es posible crecer películas delgadas de sulfuro de estaño (SnS) y selenuro de estaño
(SnSe) con estructura ortorrómbica sobre películas delgadas de SnS de estructura cúbica. En el presente trabajo se muestra cómo se puede llevar a cabo la transformación de la estructura cristalina de las películas delgadas de SnSe y SnS de ortorrómbica a cubica. Se presenta la metodología de depósito para la formación de las películas delgadas, así como las características estructurales, ópticas y eléctricas de las películas preparadas sin tratamiento térmico (TT) y con tratamiento térmico a 240 ºC en atmósfera de nitrógeno a 10 Torr durante 30 min. Para mostrar el cambio de estructura cristalina, así como el efecto del TT en las películas formadas, se presentan los espectros de difracción de rayos X (DRX), la transmitancia (T), reflectancia (R) y fotorrespuesta. Se determinó una brecha de energía (Eg) de 1.2 eV y conductividad eléctrica (cr) de 1.88x104 ff 1·cm-1 para la película sin TT, para la película horneada en N2 se determinó una Eg de 1.4 eV y O' de 5.8x10-3 ff 1·cm-1. Mediante la punta caliente se estableció que las películas son de conductividad tipo-p. Estas características ópticas y eléctricas junto con la abundancia de estaño (Sn) en la corteza terrestre hacen de este material una excelente alternativa para su aplicación como absorbedor en celdas solares de bajo costo.

Descargas

Los datos de descargas todavía no están disponibles.

Citas

-[1] Safonova M., Nair P. K., Mellikov E., Garcia A. R., Kenn K., Revathi N., Romann T., Mikli V. Volobujeva O. J Mater Sci: Mater Electron 2014,25,3160-3165. DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-014-1998-8

-[2] Jayasree Y., Chalapathi U., Bhaskar P. U., Raja V. S. Applied Surface Science 2012, 258, 2732-2740. DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2011.10.124

-[3] Garcia-Angelmo A. R., Nair M. T. S., Nair P. K. Solid State Sci. 2014, 30, 26-35. DOI: https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2014.02.002

-[4] Barrios-Salgado E., Nair M.T.S., Nair P.K. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2014, 3, Q169-Q175. DOI: https://doi.org/10.1149/2.0131408jss

-[5] Rabkin A., Samuha S., Abutbul R. E., Ezersky V., Meshi L., Golan Y. Nano Lett. 2015, 3, 2174-2179. DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b00209

-[6] Abutbul R. E., Segev E., Zeiri L., Ezersky V., Makov G., Golan Y. RSC Adv. 2016, 6 5848- 5855. DOI: https://doi.org/10.1039/C5RA23092F

-[7] Nair P. K., Barrios-Salgado E., Nair M. T. S. Phys. Status Solidi A 2016, 1-8. DOI 10.1002/pssa. 201533040

-[8] Nair P. K., Garcia-Angelmo A. R. Nair., M. T. S. Phys. Status Solidi A 2016, 213, 170--177. DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.201532426

-[9] Avellaneda D., Nair M. T. S. Nair P. K. J. Electrochem. Soc. 2008, 155, D517-D525. DOI: https://doi.org/10.1149/1.2917198

-[10] Schroder D.K., 2006, Semiconductor Material and Device Characterization, third ed., New York: John Wiley & Sons. DOI: https://doi.org/10.1002/0471749095

Descargas

Publicado

2016-06-30

Cómo citar

Barrios Salgado, E., ¨Pérez Orozco , J. P., & Rodríguez Lazcano , Y. . (2016). Síntesis y caracterización de películas delgadas de SnS -SnSe de estructura cristalina cubica crecidas por baño químico. Quimica Hoy, 6(2), 14–18. https://doi.org/10.29105/qh6.2-225

Número

Sección

Artículos