Depósito de Películas Delgadas de Óxido de Indio Dopado con Estaño (ITO) para su Uso como Electrodos en Procesos Fotoelectroquímicos
DOI:
https://doi.org/10.29105/qh12.03-337Palabras clave:
ITO, Peliculas delgadas, propiedades electricas, fotoelectrodosResumen
En este trabajo se presenta el depósito de películas delgadas de óxido de indio dopadas con estaño (ITO) utilizando la técnica
DC magnetrón sputtering para su uso como electrodos en pruebas fotoelectroquímicas. Los depósitos se realizaron variando
la potencia de depósito de 10 a 40 W por un tiempo de 30 minutos. Al término del depósito, las películas de ITO fueron
tratadas térmicamente a 400 °C para incrementar la cristalinidad y las propiedades eléctricas del material, ya que después
del tratamiento térmico la resistividad del material fue de 2 MQ a 20 kQ. El porcentaje de transmitancia de las películas de
ITO fue mayor al 80 % cumpliendo así con la transparencia de los óxidos semiconductores transparentes (TCO). Como
consecuencia de las diferentes potencias de depósito, el espesor de las películas de ITO se encontró entre los 38 a 49 nm,
influenciando las propiedades eléctricas del material. La película ITO - 40W fue la que presento una mayor concentración
de portadores (2.8 x 10 22 cm-3), lo que favoreció el incremento en la fotorespuesta del material en las pruebas de
cronoamperometría, alcanzando una fotocorriente de hasta 0.24 A.
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