Películas delgadas de Cu-S obtenidas por depósito químico y su tratamiento post -depósito

Abstract

Se llevó a cabo el depósito químico de películas delgadas de sulfuro de cobre a una temperatura de 28ºC. Este material recién depositado no presenta picos de difracción de rayos-x, y se le proporcionaron dos tratamientos diferentes, por plasma de nitrógeno y tratamiento térmico en vacío, para provocar la recristalización del material. Se llevaron a cabo mediciones por difracción de rayos-x para determinar si con este tratamiento por plasmas se logra la modificación de las propiedades estructurales de las películas, de donde se concluye que el tratamiento por plasma mejora las propiedades estructurales, ya que se pudieron identificar las fases chalcocita (Cu₂S) y covelita (CuS), dependiendo de las condiciones del tratamiento por plasmas. En el caso de las películas de sulfuro de cobre tratadas térmicamente, se encontró que el material cristaliza en la fase digenita con estructura cúbica y la estequiometria CU_1.95S.