Películas delgadas semiconductoras de TI2S preparadas mediante Baño Químico con perspectivas de aplicación como sensores

Abstract

La presente investigación se basa en la síntesis y caracterización de películas delgadas semiconductoras de Sulfuro de Talio (Tl₂S) mediante una técnica de Baño Químico que, de acuerdo con reportes anteriores, sus características eléctricas tienen amplias expectativas de aplicación en celdas solares, pero poca ha sido su investigación como sensores de gases en forma de película . El trabajo se centra en la síntesis de películas delgadas y la caracterización de estas, así como la estructura cristalina y morfológica y las propiedades eléctricas. a diferentes temperaturas y diferentes espesores y concentraciones de gas. Las propiedades del sensor de Tl₂S Tienen una resistencia y sensibilidad adecuada como sensor y su proceso de preparación tiene una mínima contaminación y además, estos sensores de gas basados en una película delgada de aproximadamente 300 nm de Tl₂S, en este trabajo se muestra a temperaturas mayores de 200ºC que se obtuvieron valores de sensibilidad menores de 1.